设备描述：

适合尺寸：4~12寸，主控制器：PLC，人机界面：触摸屏，最高转速：3000，精度±1RPM

1：干燥效率：高转速离心脱水 + 气流吹扫结合，200mm 晶圆单批（25 片）干燥 30-80 秒，150mm 及以下晶圆单批（25 片）20-60 秒，脱水速度快。

2：干燥均匀性：垂直气流 + 离心力协同作用，晶圆表面水分残留≤0.15%，片内均匀度偏差＜±3%，无明显水印缺陷，适配常规制程要求。

3：兼容性：支持 2-8 英寸硅基、化合物半导体（SiC/GaN）晶圆，适配厚度 100-1400μm（以厚晶圆为主），兼容 Open Cassette 和 FOUP 载具进料。

4：洁净度控制：内置 Class 1 级 HEPA 过滤系统，干燥后晶圆表面颗粒残留≤15 particles/wafer（≥0.1μm），金属污染≤5E9 atoms/cm²，满足成熟制程需求。

5：运行稳定性：连续运行 Uptime≥97%，晶圆破损率≤3/100,000，设备 MTBF≥6000 小时，维护成本低、操作简便。